主存储器部件组成
(1)主存储器的两个重要技术指标 ◎读写速度:常常用存储周期来度量,存储周期是连续启动两次独立的存储器操作(如读操作)所必需的时间间隔。 ◎存储容量:通常用构成存储器的字节数或字数来计量。 (2)主存储器与CPU及外围设备的连接 是通过地址总线、数据总线、控制总线进行连接,见下图 主存储器与CPU的连接 ◎地址总线用于选择主存储器的一个存储单元,若地址总线的位数k,则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。 ◎数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。 ◎控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。 (3)主存储器分类 ◎按信息保存的长短分:ROM与RAM ◎按生产工艺分:静态存储器与动态存储器 静态存储器(SRAM):读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。 动态存储器(DRAM):读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。 静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表: 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小 存储成本 高 低 动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作。 |